Faz Değişimli Bellek

Yarıiletken teknolojisi kullanılarak Flash belleğe göre daha hızlı, dayanıklı ve az yer kaplayan Faz Değişimli Bellek (Phase Change Memory) IBM, Macronix ve Qimonda firmalarının ortak çalışması olarak duyuruldu. Faz değişimli bellekte flash gibi geçici olmayan türde olduğundan elektrik akımı kesilsede bilgileri saklayabiliyor. Yeni bellek performans, güvenilirlik ve ebatlardaki ufalmayla geleceğin mobil telefonlarında kullanılmaya aday gözüküyor.

Faz Değişimli Bellek

Yapılan laboratuvar çalışmasında üretilen prototipin denenmesiyle, flash belleğe göre 500 kat daha hızlı ve daha az güç tüketen bir bellek olduğu gözlemlendi. Moore yasalarının geliştirilmesiyle şuanda üretilebilen flash belleklerden daha küçük yapıda olacak faz değişimli belleklerin 2015 yılına doğru yaygınlaşması öngörülüyor.

Flash belleklerinde geçici olmayan türde saklama yapabilmesi önemli ancak 100bin yazma sonrasında güvenilirliğini yitiriyor. Bu problem dosya saklama ve taşıma anlamında değilde, belleğe çok sık yazma yapan uygulamalarda (networklerdeki tampon bellekler, bilgisayar hafızası) güvensiz oluyor. Flash bellekle ilgili bir diğer endişe ise üretim tekniğinin 45nm'ye düşmesinden sonra mevcut hücre yapısını geçici olmayan bellek türünde olacak şekilde koruyabilmesi.

Faz Değişimli Belleğin nasıl çalıştığını görmek için bağlantı
Teknik detaylar için bağlantı

Kaynak: dailytech.com

KategoriDonanım Bölümüne
KullanıcıEditör Ekibi tarafından
Eklenme Tarihi2006-12-15 16:56:05 tarihinde eklendi

Donanım
Cep Telefonu

İnternet

Oyun
Popüler

Gezgin

Linux
Microsoft

Mobil

Lady
Otomobil

Yazılım

Konsol
Basın Bülteni

Duyurular


Diğer Gelişmeler: